Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

AFGHL50T65RQDN

Name: onsemi AFGHL50T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL50T65RQDN
Price: 25.03 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-AFGHL50T65RQDN

Nr prod.:

AFGHL50T65RQDN

Produc.:

onsemi

Opis:

IGBTs 650V/50A FS4 SCR IGBT T0247-3L AUTOMOTIVE

Karta charakterystyki:

AFGHL50T65RQDN Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi AFGHL50T65RQDN

Na stanie magazynowym: 354

Stany magazynowe:: 354 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 17 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	25,03 zł	25,03 zł
	14,41 zł	144,10 zł
	12,26 zł	1 471,20 zł
	11,65 zł	5 941,50 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Tranzystory IGBT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Styl mocowania:	Through Hole
Konfiguracja:	Single
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	650 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.6 V
Maksymalne napięcie bramka–emiter :	20 V
Ciągły prąd kolektora przy 25°C:	78 A
Pd – strata mocy:	346 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Seria:	AFGHL50T65RQDN
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Prąd upływowy bramka–emiter:	400 nA
Rodzaj produktu:	IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	IGBTs

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

AFGHL50T65RQDN Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

FS4 IGBTs

onsemi FS4 IGBTs are a powerful and efficient solution for various industrial and automotive applications. The onsemi FS4 has a maximum junction temperature of 175°C. These IGBTs are built to withstand even the harshest operating conditions.

AFGHL50T65RQDN 650V 50A IGBT

onsemi AFGHL50T65RQDN 650V 50A IGBT is a 4th generation field-stop IGBT that utilizes innovative technology. The onsemi AFGHL50T65RQDN provides optimal performance for solar inverters, UPS, welders, telecom, ESS, and PFC applications. The device ensures minimal conduction and switching losses.