Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FDMC86262P

Name: onsemi FDMC86262P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC86262P
Price: 7.31 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

512-FDMC86262P

Nr prod.:

FDMC86262P

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -2 A, 307 mO

Karta charakterystyki:

FDMC86262P Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi FDMC86262P

Na stanie magazynowym: 18 870

Stany magazynowe:: 18 870 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 20 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	7,31 zł	7,31 zł
	4,66 zł	46,60 zł
	3,12 zł	312,00 zł
	2,48 zł	1 240,00 zł
	2,27 zł	2 270,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	2,00 zł	6 000,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	Power-33-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	2 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	541 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	9.1 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	40 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	PowerTrench
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	5.6 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	5.4 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	2.2 ns
Seria:	FDMC86262P
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	15 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8.5 ns
Jednostka masy:	165,330 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FDMC86262P Karta charakterystyki

PCN

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Filipiny
Kraj montażu:: Tajlandia
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

FDMC86262P P-Channel PowerTrench MOSFET

onsemi / Fairchild FDMC86262P P-Channel PowerTrench MOSFET is produced using advanced PowerTrench technology. This very high-density process is specially tailored to minimize on-state resistance and optimized for superior switching performance. Typical applications for the ON Semiconductor FDMC86262P include active clamp switches and load switches.