Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RD3G08CBLHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G08CBLHRBTL
Price: 9.66 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RD3G08CBLHRBTL

Nr prod.:

RD3G08CBLHRBTL

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

RD3G08CBLHRBTL Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRBTL

Na stanie magazynowym: 2 480

Stany magazynowe:: 2 480 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	9,66 zł	9,66 zł
	6,26 zł	62,60 zł
	4,28 zł	428,00 zł
	3,45 zł	1 725,00 zł
	3,31 zł	3 310,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	3,22 zł	8 050,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-252-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	80 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.2 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	42 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	96 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	TH
Czas zanikania:	14 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	14 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	17 ns
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	65 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	32 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RD3G08CBLHRBTL Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RD3G08CBLHRB N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RD3G08CBLHRB N-Channel Power MOSFET is a 40V, 80A, 100% Avalanche-tested semiconductor device with a low on-resistance. This power MOSFET features a ±160A pulse drain current, ±20V gate-source voltage, and 96W power dissipation. The RD3G08CBLHRB N-channel power MOSFET is AEC-Q101 qualified, RoHS-compliant, and comes in a TO-252 (DPAK) package. This power MOSFET operates within the -55°C to 175°C temperature range. Typical applications include Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), infotainment, lighting, and body electronics.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.