FRDMGD3160HB8EVM

NXP Semiconductors
771-FRDMGD3160HB8EVM
FRDMGD3160HB8EVM

Produc.:

Opis:
Power Management IC Development Tools Half-Bridge Evaluation Board for P6 IGBT/SiC Modules

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
15 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
2 058,11 zł 2 058,11 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
NXP
Kategoria produktów: Narzędzia rozwojowe do układów scalonych zarządzania zasilaniem
RoHS: N
Evaluation Boards
Gate Driver
25 V
GD3160
GD3160
Marka: NXP Semiconductors
Rodzaj produktu: Power Management IC Development Tools
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Nazwy umowne nr części: 935437116598
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8473302000
USHTS:
8471500150
ECCN:
EAR99

FRDM Development Boards

NXP Semiconductors FRDM Development Boards include low-cost, compact MCU and MPU boards with an easy development journey and an extensive ecosystem to simplify user designs. The FRDM ecosystem includes comprehensive software/tools, modular hardware, and access to solution-driven examples.

FRDMGD3160HB8EVM Evaluation Kit

NXP Semiconductors FRDMGD3160HB8EVM Evaluation Kit is a demonstration and development platform for the GD3160 Single-Channel Gate Drivers. The GD3160 Gate Drivers are designed to drive SiC and IGBT modules for xEV traction inverters, OBC, and DC-DC converters. The GD3160 features integrated galvanic isolation, a programmable interface via SPI, and advanced programmable protection options, such as over-temperature, desaturation, and current sense protection. The GD3160 Gate Drivers capably drive SiC MOSFETs and IGBT gates directly utilizing high-performance switching, low dynamic on-resistance, and rail-to-rail gate voltage control.