IS46LD CMOS LPDDR2 DRAMs

ISSI IS46LD CMOS LPDDR2 DRAMs are 2Gbit/4Gbit organized as 8 banks of 16Meg/32Meg words of 16bits or 8Meg/16Meg words of 32bits. These DRAMs use a 4bit Double Data Rate (DDR) architecture to achieve high-speed operation. The IS46LD CMOS DRAMs feature Deep Power-Down (DPD) mode, a 10MHz to 533MHz clock frequency range, and Partial Array Self Refresh (PASR). These DRAMs include an on-chip temperature sensor to control the self-refresh rate and High Speed Un-terminated Logic (HSUL_12) I/O interface.

Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Rodzaj Wielkość pamięci Szerokość magistrali danych Maksymalna częstotliwość zegara Opakowanie/obudowa Organizacja Czas dostępu Napięcie zasilania – min. Napięcie zasilania – max. Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 149Na stanie magazynowym
171Oczekiwane: 11.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 84

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 1 796Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 2
Szpula: 2 000

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 16 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 1 646Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 86
Szpula: 2 000

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 171Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 200

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 16 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT 168Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 200

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 171
Wielokr.: 171

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1 500
Wielokr.: 1 500
Szpula: 1 500

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel