Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVHL025N65S3

Name: onsemi NVHL025N65S3
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL025N65S3
Price: 72.71 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVHL025N65S3

Nr prod.:

NVHL025N65S3

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs SUPERFET3 650V

Karta charakterystyki:

NVHL025N65S3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVHL025N65S3

Na stanie magazynowym: 230

Stany magazynowe:: 230 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 17 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	72,71 zł	72,71 zł
	52,16 zł	521,60 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	75 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	25 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 30 V, 30 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	236 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	595 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Nazwa handlowa:	SuperFET
Opakowanie:	Tube
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	107 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	78.5 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	109 ns
Seria:	SPM3
Wielkość opakowania producenta:	450
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	120 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	43.3 ns
Jednostka masy:	6 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVHL025N65S3 Karta charakterystyki

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVHL025N65S3 N-Channel SUPERFET® III

onsemi NVHL025N65S3 N-Channel SUPERFET^® III is an easy-drive, high-voltage Super-Junction (SJ) MOSFET that utilizes charge balance technology. This SUPERFET provides outstanding low ON-resistance and low gate charge performance. The NVHL025N65S3 SUPERFET minimizes conduction loss, offers good switching performance, and withstands extreme dv/dt rate. This SUPERFET manages EMI issues and allows for easy design implementation. Typical applications include automotive PHEV-BEV DC/DC converter and automotive onboard charger for PHEV-BEV.

SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.