DRV8705HQRHBRQ1

Texas Instruments
595-DRV8705HQRHBRQ1
DRV8705HQRHBRQ1

Produc.:

Opis:
Gate Drivers Automotive 40-V H- b ridge Smart Gate Dr

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 2 835

Stany magazynowe:
2 835 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
12 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
11,14 zł 11,14 zł
8,30 zł 83,00 zł
7,57 zł 189,25 zł
6,79 zł 679,00 zł
6,45 zł 1 612,50 zł
6,19 zł 3 095,00 zł
6,02 zł 6 020,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
5,85 zł 17 550,00 zł
5,72 zł 34 320,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Texas Instruments
Kategoria produktów: Sterowniki bramki
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VQFN-32
1 Driver
1 Output
5 mA
4.9 V
37 V
- 40 C
+ 125 C
DRV8705
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Rodzaj produktu: Gate Drivers
Czas propagacji – max.: 850 ns
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Technologia: Si
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

DRV8705-Q1 H-Bridge Smart Gate Driver

Texas Instruments DRV8705-Q1 H-Bridge Smart Gate Driver is a highly integrated H-bridge gate driver capable of driving high-side and low-side N-channel power MOSFETs. It generates the proper gate drive voltages using an integrated doubler charge pump for the high side and a linear regulator for the low side. The device uses a smart gate-drive architecture to reduce system costs and improve reliability. The gate driver optimizes dead time to avoid shoot-through conditions. It also provides control to decrease electromagnetic interference (EMI) through the adjustable gate drive current and protects against drain to source and gate-short conditions with VDS and VGS monitors.