CMPA0530002S

MACOM
941-CMPA0530002S
CMPA0530002S

Produc.:

Opis:
RF Amplifier GaN HEMT, MMIC, 2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 383

Stany magazynowe:
383 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 50)
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
340,20 zł 340,20 zł
311,22 zł 3 112,20 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 50)
311,22 zł 15 561,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
MACOM
Kategoria produktów: Wzmacniacz RF
RoHS:  
500 MHz to 3 GHz
28 V
17.52 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
DFN-12
GaN
- 65 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: MACOM
Kraj montażu: Not Available
Kraj wytworzenia: Not Available
Kraj pochodzenia: US
Wrażliwość na wilgoć: Yes
Rodzaj produktu: RF Amplifier
Wielkość opakowania producenta: 50
Podkategoria: Wireless & RF Integrated Circuits
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:
8542330000
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

CMPA0530002S GaN HEMT

MACOM CMPA0530002S Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is specially designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. The MACOM CMPA0530002S operates on a 28V rail while encased in a 3mm x 4mm, surface-mount, dual-flat-no-lead (DFN) package. The transistor can operate below 28V to as low as 20V VDD under reduced power, maintaining high gain and efficiency.