DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

Wyniki: 113
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
Toshiba MOSFETs N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 105 nC 230 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 78 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5.8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5.8 A 890 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 795 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 540 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFETs N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.8 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 80 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.8 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 32 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.3 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
Szpula: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9.3 A 460 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel