Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTBL032N065M3S

Name: onsemi NTBL032N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL032N065M3S
Price: 30.57 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTBL032N065M3S

Nr prod.:

NTBL032N065M3S

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs SIC MOS TOLL 32MOHM 650V M3S

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NTBL032N065M3S Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTBL032N065M3S

Na stanie magazynowym: 1 828

Stany magazynowe:: 1 828 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	30,57 zł	30,57 zł
	22,27 zł	222,70 zł
	18,58 zł	1 858,00 zł
	16,64 zł	8 320,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	14,10 zł	28 200,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	H-PSOF-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	55 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	44 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	55 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	227 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	9 ns
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	12 ns
Seria:	NTBL032N065M3S
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	31 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8.8 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTBL032N065M3S Karta charakterystyki

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for fast switching applications, offering reliable performance with negative gate voltage drive and turn-off spikes. onsemi NTBL032N065M3S MOSFETs are optimized for an 18V gate drive and also perform well with a 15V drive. The TOLL package enhances thermal and switching performance with its Kelvin Source configuration and reduced parasitic source inductance. The devices also meet Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1) standards.