MMBT3906T RSG

Taiwan Semiconductor
821-MMBT3906TRSG
MMBT3906T RSG

Produc.:

Opis:
Bipolar Transistors - BJT -40, -0.2, NPN Bipolar Transistor

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Na stanie magazynowym: 5 930

Stany magazynowe:
5 930 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™
0,778 zł 0,78 zł
0,464 zł 4,64 zł
0,292 zł 29,20 zł
0,215 zł 107,50 zł
0,189 zł 189,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
0,151 zł 453,00 zł
0,138 zł 828,00 zł
0,112 zł 1 008,00 zł
0,108 zł 2 592,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Taiwan Semiconductor
Kategoria produktów: Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-523-3
PNP
Single
200 mA
40 V
40 V
5 V
400 mV
150 mW
- 55 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Taiwan Semiconductor
Ciągły prąd kolektora: 200 mA
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.: 30
Wzmocnienie prądu DC hFE max.: 300
Rodzaj produktu: BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta: 3000
Podkategoria: Transistors
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99

MMBT3906T PNP Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3906T PNP Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with -40V of collector-to-base voltage (VCBO), -40V of collector-to-emitter voltage (VCEO), and -5V of emitter-to-base voltage (VEBO). The MMBT3906T PNP transistor features a collector current of -200mA and power dissipation (PD) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.