Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTTFD1D8N02P1E

Name: onsemi NTTFD1D8N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFD1D8N02P1E
Price: 8.15 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTTFD1D8N02P1E

Nr prod.:

NTTFD1D8N02P1E

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs FET 25V 1.8 MOHM PC33 DUAL

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NTTFD1D8N02P1E Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTTFD1D8N02P1E

Na stanie magazynowym: 3 000

Stany magazynowe:: 3 000 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 41 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	8,15 zł	8,15 zł
	5,21 zł	52,10 zł
	3,54 zł	354,00 zł
	2,83 zł	1 415,00 zł
	2,59 zł	2 590,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	2,55 zł	7 650,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	PQFN-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	25 V, 25 V
Id – Ciągły prąd drenu:	61 A, 126 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	1.4 mOhms, 4.2 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 12 V, 16 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2 V, 2 V
Qg – ładunek bramki:	12 nC, 37.5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	25 W, 36 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Dual
Kraj montażu:	PH
Kraj wytworzenia:	TW
Kraj pochodzenia:	PH
Czas zanikania:	1.7 ns, 5.2 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	1.1 ns, 2.3 ns
Seria:	NTTFD1D8N02P1E
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	17.3 ns, 37.6 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	6.6 ns. 9.4 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTTFD1D8N02P1E Karta charakterystyki

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTTFD1D8N02P1E N-Channel MOSFET

onsemi NTTFD1D8N02P1E N-Channel MOSFET is a dual 25V, Power Clip, asymmetric device. This N-channel MOSFET features R_DS(on) 4.2mΩ HS, 1.4mΩ LS, and 25V_DSS drain−to-source voltage. The NTTFD1D8N02P1E MOSFET also features low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. This MOSFET is offered in a PQFN12 small footprint of 3.3mm x 3.3mm for a compact design. The NTTFD1D8N02P1E device is suitable for DC/DC converters and system voltage rails.