Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RS1L151ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS1L151ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS1L151ATTB1
Price: 14.19 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RS1L151ATTB1

Nr prod.:

RS1L151ATTB1

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs HSOP8 P-CH 60V 56A

Karta charakterystyki:

RS1L151ATTB1 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RS1L151ATTB1

Na stanie magazynowym: 15 631

Stany magazynowe:: 15 631 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 18 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	14,19 zł	14,19 zł
	8,34 zł	83,40 zł
	6,58 zł	658,00 zł
	5,85 zł	2 925,00 zł
	5,46 zł	5 460,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	4,95 zł	12 375,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	HSOP-8
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	56 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	11.3 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	130 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	40 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	220 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	25 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	70 ns
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 P-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	350 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	22 ns
Nazwy umowne nr części:	RS1L151AT

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RS1L151ATTB1 Karta charakterystyki

Application Notes

Application Note (PDF)

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

RS1L151AT P-Channel -60V -56A Power MOSFET

ROHM Semiconductor RS1L151AT P-Channel -60V -56A Power MOSFET is a low on-resistance device housed in a small surface-mount package (HSOP8). The RS1L151AT features Pb-free plating and is RoHS compliant.