DMN601WKQ N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMN601WKQ N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are Electrostatic Discharge (ESD) protected with fast switching speed. These MOSFETs are low on-resistance (RDS(ON)), low threshold voltage, low input capacitance, and low input/output leakage. The moisture sensitivity of these MOSFETs is of level 1 as per J-STD-020 standard. The DMN601WKQ MOSFETs from Diodes Incorporated are qualified to AEC-Q101 standard and PPAP (Production Part Approval Process) capable. These MOSFETs are free from lead, antimony, and halogen and are available in the S0T323 package.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
Diodes Incorporated MOSFETs 2N7002 Family
Karta charakterystyki
8 892Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 10 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 65 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 2N7002 Family
Karta charakterystyki
8 782Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V - 65 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel