TRSxE65F SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba TRSxE65F SiC Schottky Barrier Diodes exhibit the chip design of 2nd generation and come in TRS6E65F and TRS8E65F variants. The TRSxE65F diodes feature high surge current, small junction capacitance, and small reverse current. These diodes are available in 10.05mm x 15.3mm x 4.45mm dimensions. The Toshiba TRSxE65F Schottky barrier diodes are ideal for power factor correction, uninterruptible power supplies, and DC-DC converters.

Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Toshiba SiC Schottky Diodes V=650 IF=8A
Karta charakterystyki
7Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 2A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
307Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 3A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes V=650 IF=6A
Karta charakterystyki
Czas realizacji 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube