Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

MMFTP2319

Name: Diotec Semiconductor MMFTP2319
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP2319
Price: 1.34 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

637-MMFTP2319

Nr prod.:

MMFTP2319

Produc.:

Diotec Semiconductor

Opis:

MOSFETs MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

Karta charakterystyki:

MMFTP2319 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Diotec Semiconductor MMFTP2319

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Diotec Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	SOT-23-3
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	40 V
Id – Ciągły prąd drenu:	4.2 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	80 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3 V
Qg – ładunek bramki:	20 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	750 mW
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Diotec Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	4 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	28 ns
Seria:	MMFTN/P
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	19 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

MMFTP2319 Karta charakterystyki (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

Kody zgodności

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET

Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET offers fast switching times in a SOT-23/TO-236 package. The MMFTP2319 FET features a 40V maximum drain-source voltage, 750mW maximum power dissipation, and a 4.2A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

DIOTEC SEMICONDUCTOR

DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Dowiedz się więcej

DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Dowiedz się więcej

DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Dowiedz się więcej

DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Dowiedz się więcej

DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Dowiedz się więcej

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Dostępna ilość z otwartych zamówień:: 6 000

Oczekiwane: 25.09.2026
Średni czas produkcji:: 15

tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	1,34 zł	1,34 zł
	0,886 zł	8,86 zł
	0,613 zł	61,30 zł
	0,58 zł	290,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,437 zł	1 311,00 zł
	0,378 zł	3 402,00 zł

MMFTP2319

Produc.: Diotec Semiconductor

Opis: MOSFETs MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

Specyfikacja

Dokumenty (3)

Karta charakterystyki

Models

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY DIOTEC SEMICONDUCTOR

Dostępność

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

Diotec Semiconductor

Opis:

MOSFETs MOSFET, SOT-23, -40V, -4.2A, 150C, P

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

DIOTEC SEMICONDUCTOR