Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie

onsemi MOSFETs SELF-PROTECTED LS DRIVER
Karta charakterystyki
2 664Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT SOT223-4 N-Channel 1 Channel 46 V 1 A 185 mOhms - 14 V, 14 V 1.6 V - 40 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs LS SMART FET MPW
Karta charakterystyki
2 876Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-4 N-Channel 1 Channel 42 V 11 A 120 mOhms - 14 V, 14 V 2 V - 40 C + 150 C 2.99 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFETs SELF-PROTECTED LS DRIVER
Karta charakterystyki
8 230Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Si SMD/SMT SOT223-4 N-Channel 1 Channel 46 V 1 A 185 mOhms - 14 V, 14 V 1.6 V - 40 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel