NTBGSxDxN15MC & NVBGSxDxN15MC N-Channel MOSFETs

onsemi NTBGSxDxN15MC and NVBGSxDxN15MC N-Channel MOSFETs feature 150V drain-to-source voltage (V(BR)DSS) and low switching noises/EMI. These devices offer low QG and capacitance to minimize driver losses and low RDS(on) to minimize conduction losses. The NTBGSxDxN15MC and NVBGSxDxN15MC MOSFETs are available in a Pb-free, Halogen-free/BFR-free, and RoHS compliant D2PAK7 package. Typical applications include power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, home automation, industrial forklifts, and traction control systems.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
onsemi MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL 996Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 121 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 57 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR INDUSTRIAL 1 297Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 185 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 88.9 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel