MJD44H11A & MJD45H11A 80V 8A Bipolar Transistors

Nexperia MJD44H11A and MJD45H11A 80V 8A Bipolar Transistors offer high thermal power dissipation in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. These devices provide high energy efficiency due to low heat generation and feature low collector-emitter saturation voltage. The MJD44H11A and MJD45H11A are ideal for various applications, including linear voltage regulators, power management, and constant current drive backlighting.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Konfiguracja Maksymalny prąd DC kolektora Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie emiter–baza VEBO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Pd – strata mocy Wzmacniacze GBP fT Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT 36Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A NPN HI PWR BJT 10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 160 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A PNP HI PWR BJT 1 613Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 80 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Bipolar Transistors - BJT SOT428 80V 8A PNP HI PWR BJT Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 53 tygodni
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) PNP Single 8 A 80 V 6 V 1 V 20 W 80 MHz - 55 C + 150 C Reel