Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs feature the industry's first n- and p-channel power MOSFET in the industry's smallest 0.8 mm by 0.8 mm chip-scale package, in addition to the first n- and p-channel devices to offer on-resistance (RDS(on)) ratings down to 1.2 V in this package size. The Si88xx 8V TrenchFET® Power MOSFETs come in the MICRO FOOT® package that occupies up to 36 % less board space than the next smallest chip-scale devices, yet offer comparable − and even lower − on-resistance (RDS(on)).

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Vishay Semiconductors MOSFETs -20V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 2 306Na stanie magazynowym
15 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 P-Channel 1 Channel 20 V 2.7 A 77 mOhms - 8 V, 8 V 800 mV 17 nC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs 8V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8 6 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT MicroFoot-4 N-Channel 1 Channel 8 V 3.5 A 54 mOhms - 5 V, 5 V 350 mV 4.3 nC - 55 C + 150 C 900 mW Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel