Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 5 658Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 17.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 321 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 165 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V 1 604Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 243 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 115 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 176 A in 8 mm x 8 mm footprint
16 800Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 284 A 1.7 mOhms 20 V 3.45 V 142 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel