STGWA30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGWA30M65DF2
STGWA30M65DF2

Produc.:

Opis:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss in a TO-247 long leads

Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Dostępność

Stany magazynowe:
Niedostępne na stanie
Średni czas produkcji:
14 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.
Minimum: 600   Wielokrotności: 600
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
4,43 zł 2 658,00 zł
4,34 zł 5 208,00 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Tranzystory IGBT
RoHS:  
Si
- 20 V, 20 V
STGWA30M65DF2
Tube
Marka: STMicroelectronics
Rodzaj produktu: IGBT Transistors
Wielkość opakowania producenta: 600
Podkategoria: IGBTs
Jednostka masy: 2 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.