IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

Wyniki: 26
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Kwalifikacje
Opakowanie

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
Karta charakterystyki
3 710Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGD6M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
Karta charakterystyki
74Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si D2PAK SMD/SMT Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGB40V60F Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Karta charakterystyki
990Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 600V 15A HiSpd
Karta charakterystyki
2 210Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 30 W - 55 C + 175 C STGF15H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
Karta charakterystyki
1 166Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGW30V60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
Karta charakterystyki
906Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40V60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
Karta charakterystyki
1 072Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60DF Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Karta charakterystyki
747Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGWA40H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Karta charakterystyki
802Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
Karta charakterystyki
344Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 02.04.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGB30V60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
Karta charakterystyki
1 076Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGP20V60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
Karta charakterystyki
161Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H60DLFB Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
Karta charakterystyki
6Na stanie magazynowym
1 200Oczekiwane: 17.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
Karta charakterystyki
268Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60F Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Karta charakterystyki
406Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Karta charakterystyki
496Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Karta charakterystyki
292Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20V60F Tube


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
Karta charakterystyki
290Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-3PF Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40H65FB
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT fea
Karta charakterystyki
Czas realizacji 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SiC TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Karta charakterystyki
Czas realizacji 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 375 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics STGB20H65FB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGP30H65DFB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

- 20 V, 20 V Tube

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 2 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 435 V 1.1 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB25N40LZAG AEC-Q101 Reel