1200V PIM 3 Phase Input Rectifiers

Infineon Technologies 1200V PIM 3 Phase Input Rectifiers are EconoPIM™ 2 1200V, 100A three-phase PIM IGBT modules. The rectifiers feature TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with the integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. 

Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Prąd upływowy bramka–emiter
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Karta charakterystyki
15Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray


Infineon Technologies IGBT Modules LOW POWER ECONO
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 15
Wielokr.: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray


Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 35 A PIM IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 15
Wielokr.: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP50R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 15
Wielokr.: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray

Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 50 A PIM IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 75 A PIM IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 15
Wielokr.: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray