NCV57000DWR2G

onsemi
863-NCV57000DWR2G
NCV57000DWR2G

Produc.:

Opis:
Galvanically Isolated Gate Drivers IGBT gate driver

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi NCV57000DWR2G

Na stanie magazynowym: 24 079

Stany magazynowe:
24 079 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
21 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Opakowanie:
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ †
14,41 zł 14,41 zł
9,72 zł 97,20 zł
8,73 zł 218,25 zł
6,88 zł 688,00 zł
6,79 zł 1 697,50 zł
5,68 zł 2 840,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
5,29 zł 5 290,00 zł
† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Galwanicznie izolowane sterowniki bramek
RoHS:  
NCV57000
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
1.4 W
90 ns
10 ns
15 ns
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: onsemi
Konfiguracja: Inverting, Non-Inverting
Maksymalny czas opóźnienia wyłączenia: 90 ns
Maksymalny czas opóźnienia włączenia: 90 ns
Liczba sterowników: 1 Driver
Liczba wyjść: 2 Output
Prąd roboczy zasilania: 4.8 mA
Prąd wyjścia: 4 A
Produkt: IGBT, MOSFET Gate Drivers
Rodzaj produktu: Galvanically Isolated Gate Drivers
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Napięcie zasilania – max.: 5 V
Napięcie zasilania – min.: 3.3 V
Jednostka masy: 1,506 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Galvanically Isolated High Current Gate Drivers

onsemi Galvanically Isolated High Current Gate Drivers offer high transient and electromagnetic immunity. The NCx5700x is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high-power applications. The drivers feature complementary inputs, open-drain FAULT, Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, soft turn-off at DESAT, and separate high and low (OUTH and OUTL) driver outputs for system design convenience. The NCx5700x accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. These onsemi devices provide >5kVRMS (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200VIORM (working voltage) capabilities. The NCx5700x series is available in the wide-body SOIC-16 package with a guaranteed 8mm creepage distance between input and output to fulfill reinforced safety insulation requirements.

NCV57000 Isolated High Current IGBT Gate Driver

onsemi NCV57000 Isolated High Current IGBT Gate Driver with internal galvanic isolation is designed for high system efficiency and reliability in high-power applications. The NCV57000 has robust features, including complementary inputs, open drain FAULT and Ready outputs, an active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, soft turn-off at DESAT, and separate high and low (OUTH and OUTL) driver outputs for system design convenience. It accommodates both 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. The IGBT provides >5kVrms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200Viorm (working voltage) capabilities. The NCV57000 Isolated High Current IGBT Gate Driver is packaged to fulfill reinforced safety insulation requirements. It is offered in the wide-body SOIC-16 package with a guaranteed 8mm creepage distance between input and output.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Jakieś pytania? Proszę odwiedzić Centrum Pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, proszę zalogować się na swoje konto.

Jeśli pojawią się dalsze problemy, proszę skontaktować się z nami pod numerem 800-346-6873 lub wysłać wiadomość e-mail na adres help@mouser.com.