RGE Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGE Field Stop Trench IGBTs feature low collector-emitter saturation voltage, low switching loss, and a short circuit withstand time of 5μs. The  ROHM Semiconductor RGE IGBTs ensure reliable operation under high-stress conditions. The built-in fast and soft recovery FRD enhances efficiency, while Pb-free lead plating ensures RoHS compliance. Perfect for general inverters, Uninterruptible Power Supply (UPS) systems, power conditioners, and welders, the RGE series provides a robust solution for modern power management needs.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Opakowanie/obudowa Styl mocowania Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Maksymalne napięcie bramka–emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Pd – strata mocy Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
ROHM Semiconductor IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT 570Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 74 A 230 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT 590Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 51 A 166 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT 600Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 63 A 200 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT 600Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 102 A 306 W - 40 C + 175 C Tube