R8002ANJ & R8005ANJ & R8008ANJ Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R8002ANJ and R8005ANJ and R8008ANJ Power MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. The MOSFETs are suitable for switching applications. The devices feature low on-resistance, have a fast switching speed, and a gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs TO263 800V 5A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 986Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 20 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO263 800V 2A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 919Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 13 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
826Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 1.03 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape