QPA1111 Power Amplifiers

Qorvo QPA1111 Power Amplifiers are high-power, packaged X-Band MMIC amplifiers fabricated using 0.15μm GaN-on-SiC process (QGaN15). These amplifiers operate from 8.5GHz to 10.5GHz frequency range and a storage temperature of -55°C to 150°C range. The QPA1111 amplifiers offer 30W saturated output power with a power-added efficiency of 45% and a small signal gain of 38dB. These amplifiers are fully matched to 50Ω with DC-grounded I/O ports for optimum ESD performance and to simplify system integration. The QPA1111 power amplifiers are 100% DC and RF tested to ensure compliance with electrical specifications and are ideal for radar, satellite communications, and datalink applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza
Napięcie robocze zasilania
Prąd roboczy zasilania
Wzmocnienie
Rodzaj
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Technologia
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Qorvo RF Amplifier 30W X-Band MMIC PA
Karta charakterystyki
40Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

8.5 GHz to 10.5 GHz 22 V 620 mA 27 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-40 GaN SiC - 40 C + 85 C QPA1111 Reel
Qorvo RF Amplifier 30W X-Band MMIC PA
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 250
Wielokr.: 250
Szpula: 250
8.5 GHz to 10.5 GHz 38 dB Power Amplifiers SMD/SMT GaN - 40 C + 85 C QPA1111 Reel