650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolMOS™ CFD7A SJ Power MOSFETs address electric vehicle applications such as on-board chargers, HV-LV DC-DC converters, and auxiliary power supplies. Thanks to the improved cosmic radiation robustness, the CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs allow higher battery voltages to be applied at a reliability rate equal to that of previous generations and other market offerings. CoolMOS CFD7A SJ Power MOSFETs ensure high-efficiency levels in hard- and resonant switching topologies, particularly at light load conditions. Higher switching frequencies at gate loss levels comparable to those of former generations are reached. The reduction in system weight and the smaller occupied space result in more compact designs.

Wyniki: 48
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
503Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
564Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 439 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
5Na stanie magazynowym
5 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
218Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
60Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
45Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 03.06.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
41Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 36 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 50 nC - 40 C + 150 C 223 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
3 004Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 92 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
240Oczekiwane: 24.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 234 nC - 40 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPQC65R040CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
722Oczekiwane: 18.09.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 64 A 76 mOhms - 10 V, 10 V 4 V 97 nC - 40 C + 150 C 357 W Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Karta charakterystyki
1 880Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
240Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 98 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 98 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 19 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 23 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
Czas realizacji 21 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Min.: 240
Wielokr.: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 234 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 22 nC - 40 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Min.: 240
Wielokr.: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 21 tygodni
Min.: 240
Wielokr.: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 20 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPDQ65R099CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 750
Wielokr.: 750
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 29 A 194 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 39 nC - 40 C + 150 C 186 W Reel
Infineon Technologies IPDQ65R125CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 24 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 40 C + 150 C 160 W Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPQC65R125CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
Karta charakterystyki
Czas realizacji 22 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 24 A 240 mOhms - 10 V, 10 V 4 V 32 nC - 40 C + 150 C 160 W Reel, Cut Tape