IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

Wyniki: 10
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Prąd upływowy bramka–emiter
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
6Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
17Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 300 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
25Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
18Na stanie magazynowym
20Oczekiwane: 06.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
10Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
20Oczekiwane: 28.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Nie
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules PP IHM I
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 750 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 750 A dual IGBT module
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 10
Wielokr.: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray