Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RFN10BGE3STL

Name: ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RFN10BGE3STL
Price: 4.95 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RFN10BGE3STL

Nr prod.:

RFN10BGE3STL

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

Rectifiers RECT 350V 10A SM SUPER FST

Karta charakterystyki:

RFN10BGE3STL Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL

Na stanie magazynowym: 3 657

Stany magazynowe:: 3 657 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	4,95 zł	4,95 zł
	3,18 zł	31,80 zł
	2,67 zł	267,00 zł
	2,11 zł	1 055,00 zł
	1,93 zł	1 930,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2500)
	1,78 zł	4 450,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Prostowniki
RoHS:
REACH - SVHC:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-252GE-3
Vr – napięcie wsteczne:	350 V
If – prąd przewodzenia diody:	10 A
Rodzaj:	Super Fast Recovery Diode
Konfiguracja:	Single
Vf – Napięcie przewodzenia:	1.5 V
Max. udar prądowy:	80 A
Ir – Prąd wsteczny:	10 uA
Czas regeneracji:	30 ns
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Produkt:	Rectifiers
Rodzaj produktu:	Rectifiers
Wielkość opakowania producenta:	2500
Podkategoria:	Diodes & Rectifiers
Nazwy umowne nr części:	RFN10BGE3S

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RFN10BGE3STL Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-07-15 (PDF)

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

RFN10BGE3STL Super Fast Recovery Diode

ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL Super Fast Recovery Diode features silicon epitaxial planar construction with high current overload capacity and low switching loss. This superfast recovery diode is stored at -55°C to 150°C temperature range and offers 350V repetitive peak reverse voltage. The RFN10BGE3STL diode functions at 10A average rectified forward current, 1.5V maximum forward voltage, 10μA maximum reverse current, and 150°C junction temperature. This diode is ideal for use in general rectification.