LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes

Littelfuse LSIC2SD GEN2 Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes provide improved efficiency, reliability, and thermal management in various applications. The diodes have an operating junction temperature of +175°C maximum. The positive temperature coefficient of the diodes supports safe operation and ease of paralleling. Other features of the Littelfuse LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes include high-surge capability and negligible reverse recovery current. The switching behavior of the diodes is extremely fast and temperature-independent. Compared to Si bipolar diodes, these diodes provide dramatically reduced switching losses. LSIC2SD GEN2 SiC Schottky Diodes are ideal for EV charging stations, solar inverters, switch-mode power supplies, and more. These diodes are available in a variety of packages and voltage/current ratings, including 650V (6A to 40A) and 1200V (5A to 40A).

Wyniki: 28
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Kwalifikacje
Opakowanie
Littelfuse LSIC2SD120C08A
Littelfuse SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1200V 08A TO252-2L
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500

LSIC2SD
Littelfuse LSIC2SD120D15A
Littelfuse SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1200V 15A TO263-2L Niedostępne na stanie
Min.: 800
Wielokr.: 800
LSIC2SD
Littelfuse LSIC2SD120D20A
Littelfuse SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 1200V 20A TO263-2L
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 29 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 800

LSIC2SD Reel, Cut Tape