Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RH7L03BBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7L03BBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7L03BBKFRATCB
Price: 6.41 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RH7L03BBKFRATCB

Nr prod.:

RH7L03BBKFRATCB

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs DFN8 N CHAN 40V

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

RH7L03BBKFRATCB Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RH7L03BBKFRATCB

Na stanie magazynowym: 2 700

Stany magazynowe:: 2 700 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	6,41 zł	6,41 zł
	4,11 zł	41,10 zł
	2,73 zł	273,00 zł
	2,15 zł	1 075,00 zł
	1,97 zł	1 970,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	1,82 zł	5 460,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	DFN-8
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	60 V
Id – Ciągły prąd drenu:	35 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	26.4 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	33 W
Tryb kanału:	Enhancement
Kwalifikacje:	AEC-Q101
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	SIngle
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	JP
Czas zanikania:	4.7 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	7 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	23 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	9.4 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RH7L03BBKFRATCB Karta charakterystyki

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RH7L03 60V N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7L03 60V N-Channel Power MOSFET is a 60V drain-source voltage (V_DSS) and ±35A continuous drain current (I_D) rated automotive grade MOSFET that is AEC-Q101 qualified. This MOSFET has a drain-source on-state resistance [R_DS(ON)] of 26.4mΩ (max.) at V_GS = 10V, I_D = 20A, and comes in a 3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) package. The ROHM Semiconductor RH7L03 MOSFET is ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.