Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

AFV10700GSR5

Name: NXP AFV10700GSR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-AFV10700GSR5
Price: 2974.1 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

771-AFV10700GSR5

Nr prod.:

AFV10700GSR5

Produc.:

NXP Semiconductors

Opis:

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V

Karta charakterystyki:

AFV10700GSR5 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o NXP Semiconductors AFV10700GSR5

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 10 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 50 Wielokrotności: 50

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 50)
	2 974,10 zł	148 705,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	NXP
Kategoria produktów:	Tranzystory MOSFET RF
RoHS:
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Technologia:	Si
Id – Ciągły prąd drenu:	2.6 A
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	105 V
Częstotliwość robocza:	1.03 GHz to 1.09 GHz
Wzmocnienie:	19.2 dB
Moc wyjściowa:	700 W
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	NI-780GS-4L
Opakowanie:	Reel
Marka:	NXP Semiconductors
Liczba kanałów:	2 Channel
Pd – strata mocy:	526 W
Rodzaj produktu:	RF MOSFET Transistors
Seria:	AFV10700
Wielkość opakowania producenta:	50
Podkategoria:	MOSFETs
Rodzaj:	RF Power MOSFET
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	+ 10 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.3 V
Nazwy umowne nr części:	935362013178

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

AFV10700GSR5 Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Declaration of Compliance - RoHS Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

AFV10700H RF Power LDMOS Transistor

NXP Semiconductors AFV10700H RF Power LDMOS Transistor is designed for pulse applications operating at 1030MHz to 1090MHz. This LDMOS Transistor can also be used over the 960MHz to 1215MHz band at reduced power. This device is suitable for use in defense and commercial pulse applications with large duty cycles and long pulses, such as IFF, secondary surveillance radars, ADS-B transponders, DME, and other complex pulse chains.