HMC8411 Low Noise Amplifier

Analog Devices Inc. HMC8411 Low Noise Amplifier is a gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low-noise wideband amplifier. The device operates from 0.01GHz to 10GHz. Analog Devices HMC8411 has a typical gain of 15.5dB, a 1.7dB typical noise figure, and a typical output third-order intercept (OIP3) of 34dBm. It requires only 55mA from a 5V supply voltage.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Częstotliwość robocza
Napięcie robocze zasilania
Prąd roboczy zasilania
Wzmocnienie
NF – współczynnik szumów
Rodzaj
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Technologia
P1dB – Punkt kompresji
OIP3 – Przechwycenie trzeciego rzędu
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Analog Devices RF Amplifier DC - 8 GHz 15 dB Gain
Karta charakterystyki
509Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

10 MHz to 10 GHz 5 V 55 mA 14 dB 2 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 17 dBm 33 dBm - 40 C + 85 C HMC8411 Cut Tape
Analog Devices RF Amplifier DC - 8 GHz 15 dB Gain
Karta charakterystyki
364Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 500

10 MHz to 10 GHz 5 V 55 mA 14 dB 2 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 17 dBm 33 dBm - 40 C + 85 C HMC8411 Reel, Cut Tape, MouseReel
Analog Devices RF Amplifier DC - 8 GHz 15 dB Gain Ext Temp
Karta charakterystyki
52Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

10 MHz to 10 GHz 5 V 55 mA 14 dB 2 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 17 dBm 33 dBm - 55 C + 125 C Cut Tape
Analog Devices RF Amplifier DC - 8 GHz 15 dB Gain Ext Temp
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 10 tygodni
Min.: 500
Wielokr.: 500
Szpula: 500

10 MHz to 10 GHz 5 V 55 mA 14 dB 2 dB SMD/SMT LFCSP-6 GaAs 17 dBm 33 dBm - 55 C + 125 C Reel