Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

SI3129DV-T1-GE3

Name: Vishay SI3129DV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3129DV-T1-GE3
Price: 3.88 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

78-SI3129DV-T1-GE3

Nr prod.:

SI3129DV-T1-GE3

Produc.:

Vishay / Siliconix

Opis:

MOSFETs TSOP6 P-CH 80V 3.8A

Karta charakterystyki:

SI3129DV-T1-GE3 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Vishay / Siliconix SI3129DV-T1-GE3

Na stanie magazynowym: 161 619

Stany magazynowe:: 161 619 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	3,88 zł	3,88 zł
	2,44 zł	24,40 zł
	1,60 zł	160,00 zł
	1,23 zł	615,00 zł
	1,11 zł	1 110,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 3000)
	0,946 zł	2 838,00 zł
	0,877 zł	5 262,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Vishay
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TSOP-6
Polaryzacja tranzystora:	P-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	80 V
Id – Ciągły prąd drenu:	5.4 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	82.7 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	2.5 V
Qg – ładunek bramki:	12 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	4.2 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	TrenchFET
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Vishay / Siliconix
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	12 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	8 ns
Wielkość opakowania producenta:	3000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	TrenchFET Power MOSFET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	25 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	15 ns
Jednostka masy:	20 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

SI3129DV-T1-GE3 Karta charakterystyki

Technical Resources

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si3129DV P-Channel 80V (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix Si3129DV P-Channel 80V (D-S) MOSFET is 100% R_g tested in a TSOP-6 single package. The Si3129DV MOSFET offers a ±20V gate-source voltage and an -55°C to 150°C operating junction temperature range. The Vishay / Siliconix Si3129DV P-Channel 80V MOSFET is designed for power management for portable and consumer applications.