SQJB Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJB Automotive MOSFETs are dual N-Channel TrenchFET® power MOSFETs. These AEC-Q101-qualified MOSFETs are tested at 100% Rg and Unclamped Inductive Switching (UIS). The Vishay / Siliconix SQJB Automotive MOSFETs offer very low RDS(on) and operate within the -55°C to 175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a PowerPAK® SO-8L package with dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives and actuators, and battery management.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Vishay / Siliconix MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE 10 851Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 26 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE 6Na stanie magazynowym
6 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8L Dual N-Channel 2 Channel 40 V 30 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 21 nC - 55 C + 175 C 34 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel