SIHx17N80AEF Series Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SIHx17N80AEF Series Power MOSFETs deliver a low figure-of-merit and low effective capacitance. The SIHx17N80AEF MOSFETs have reduced switching and conduction losses. The Vishay / Siliconix SIHx17N80AEF Series Power MOSFETs feature an 850V drain-source voltage and are ideal for server and telecom power supplies, lighting, and industrial applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
1 717Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 305 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 800V 15A N-CH MOSFET
Karta charakterystyki
N/A
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 305 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement Tube