Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Opakowanie/obudowa Styl mocowania Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Maksymalne napięcie bramka–emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Pd – strata mocy Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Opakowanie
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT 487Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Field Stop Trench IGBT 711Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, Field Stop Trench IGBT 870Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT 886Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT 838Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT 238Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C Tube