Wyniki: 137
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Nazwa handlowa
Opakowanie
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
Karta charakterystyki
1 330Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II
Karta charakterystyki
1 037Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 790 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
Karta charakterystyki
314Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
Karta charakterystyki
229Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 06.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 30 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp
Karta charakterystyki
306Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 30 nC - 65 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp
Karta charakterystyki
376Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 299 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
Karta charakterystyki
757Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.4 A 220 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
Karta charakterystyki
913Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
Karta charakterystyki
259Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 13.04.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 56 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
Karta charakterystyki
313Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 09.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch
Karta charakterystyki
212Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 162 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
Karta charakterystyki
597Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 790 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
Karta charakterystyki
335Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 04.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
Karta charakterystyki
15Na stanie magazynowym
600Oczekiwane: 09.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 139 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
Karta charakterystyki
600Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M
Karta charakterystyki
172Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31.5 A 105 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
Karta charakterystyki
3 951Oczekiwane: 16.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
Karta charakterystyki
2 979Oczekiwane: 28.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 84 A 29 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 204 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh
Karta charakterystyki
442Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 65V 33A MDMESH
Karta charakterystyki
44Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 79 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS
Karta charakterystyki
1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs POWER MOSFET N-CH
Karta charakterystyki
Czas realizacji 14 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 360 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 90 W MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 18.3 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 83 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 14 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube