Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

FDT4N50NZU

Name: onsemi FDT4N50NZU
Brand: onsemi
SKU: 863-FDT4N50NZU
Price: 7.01 PLN
Availability: InStock

Nr Mouser:

863-FDT4N50NZU

Nr prod.:

FDT4N50NZU

Produc.:

onsemi

Opis:

MOSFETs UNIFET II 3OHM SOT223

Karta charakterystyki:

FDT4N50NZU Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi FDT4N50NZU

Na stanie magazynowym: 4 984

Stany magazynowe:: 4 984 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 11 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	7,01 zł	7,01 zł
	4,39 zł	43,90 zł
	3,01 zł	301,00 zł
	2,39 zł	1 195,00 zł
	2,21 zł	2 210,00 zł
	2,06 zł	4 120,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 4000)
	2,06 zł	8 240,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	500 V
Id – Ciągły prąd drenu:	2 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3 Ohms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 25 V, 25 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	5.5 V
Qg – ładunek bramki:	9.1 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	2 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	onsemi
Kraj montażu:	Not Available
Kraj wytworzenia:	Not Available
Kraj pochodzenia:	MY
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Seria:	FDT4N50NZU
Wielkość opakowania producenta:	4000
Podkategoria:	Transistors

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

FDT4N50NZU Karta charakterystyki

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

onsemi FDT4N50NZU UniFET II MOSFET is a high voltage MOSFET based on advanced planar stripe and DMOS technology. The MOSFET has a small on-state resistance among the planar MOSFET. It provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. An internal gate-source ESD diode allows the UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress.