Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.

Wyniki: 28
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Karta charakterystyki
3 000Oczekiwane: 16.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 3 A 95 mOhms 20 V 2.5 V 1.7 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Karta charakterystyki
3 000Oczekiwane: 16.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms 20 V 2.5 V 3.2 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
Karta charakterystyki
3 000Oczekiwane: 16.02.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 17.8 mOhms 20 V 2.5 V 6.5 nC + 175 C 4.3 W Enhancement Reel, Cut Tape