Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

RA1C030LDT5CL

Name: ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RA1C030LDT5CL
Price: 1.81 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

755-RA1C030LDT5CL

Nr prod.:

RA1C030LDT5CL

Produc.:

ROHM Semiconductor

Opis:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)

Karta charakterystyki:

RA1C030LDT5CL Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL

Na stanie magazynowym: 26 806

Stany magazynowe:: 26 806 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 16 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	1,81 zł	1,81 zł
	1,44 zł	14,40 zł
	0,92 zł	92,00 zł
	0,697 zł	348,50 zł
	0,563 zł	563,00 zł
	0,499 zł	2 495,00 zł
	0,413 zł	4 130,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 15000)
	0,409 zł	6 135,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	ROHM Semiconductor
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	WLCSP-3
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	20 V
Id – Ciągły prąd drenu:	3 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	140 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 200 mV, 7 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	1.5 V
Qg – ładunek bramki:	1.5 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 50 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	1 W
Tryb kanału:	Enhancement
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	ROHM Semiconductor
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	4 ns
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	6 ns
Wielkość opakowania producenta:	15000
Podkategoria:	Transistors
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	15 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	6 ns
Nazwy umowne nr części:	RA1C030LD

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

RA1C030LDT5CL Karta charakterystyki

Specification Sheets

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RA1C030LD WLCSP MOSFET

ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET is an N-channel MOSFET designed with a low on-resistance and high power package. This device features a 20V_DSS drain-source voltage, 3A continuous drain current, and 1W power dissipation. The RA1C030LD MOSFET offers 1.8V drive voltage, Electro-Static Discharge (ESD) protection up to 200V (MM), and up to 2kV (HBM). This MOSFET is suitable for switching circuits, single-cell battery applications, and mobile applications. The RA1C030LD MOSFET is Pb-free, halogen-free, and RoHS-compliant device.