SuperFET® V MOSFETs

onsemi SuperFET® V MOSFETs are the fifth generation high-voltage Super Junction (SJ) MOSFETs. These devices deliver best-in-class Figure of Merits (FoMs) (RDS(ON)·QG and RDS(ON)·EOSS) to improve not only heavy load but also light load efficiency. The 600V SuperFET V MOSFETs provide design benefits through reduced conduction and switching losses while supporting extreme MOSFET dVDS/dt ratings at 120V/ns. The SuperFET V MOSFET FAST series help to maximize system efficiency and power density. The SuperFET V MOSFET Easy Drive series combines excellent switching performance without sacrificing ease of use for both hard and soft switching topologies. Typical applications include telecommunication, cloud system, and industrial.

Wyniki: 5
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie

onsemi MOSFETs SUPERFET5 EASY 99MOHM T 327Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs SF5 600V EASY ZENER 280MO 2 351Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 17.9 nC - 55 C + 170 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFETs SUPERFET5 EASY 120MOHM 783Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube

onsemi MOSFETs SUPERFET5 FAST 41MOHM T 527Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 57 A 41 mOhms - 30 V, 30 V 4.3 V 108 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
onsemi MOSFETs SF5 600V FAST 61MOHM FOR
3 000Oczekiwane: 12.06.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szpula: 3 000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 61 mOhms 30 V 4.3 V 73.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape