IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.

Wyniki: 45
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Opakowanie/obudowa
Styl mocowania
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Maksymalne napięcie bramka–emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Pd – strata mocy
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package
Karta charakterystyki
84Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package
Karta charakterystyki
208Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Karta charakterystyki
229Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 429 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Karta charakterystyki
337Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Karta charakterystyki
71Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Karta charakterystyki
97Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Karta charakterystyki
110Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Karta charakterystyki
68Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 338 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
Karta charakterystyki
82Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Karta charakterystyki
121Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
Karta charakterystyki
207Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Karta charakterystyki
1 511Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 60 A 188 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Karta charakterystyki
2 550Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package
Karta charakterystyki
251Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Karta charakterystyki
354Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Karta charakterystyki
453Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Karta charakterystyki
380Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 05.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
720Oczekiwane: 21.05.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 333 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
Karta charakterystyki
479Oczekiwane: 02.03.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Karta charakterystyki
605Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 273 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube