TRENCHSTOP™ Advanced Isolation

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ Advanced Isolation offers design flexibility, high output power, low cooling effort, high reliability, and electrical isolation. The TRENCHSTOP Advanced Isolation delivers 0.2% higher efficiency and 10% lower cooling effort with higher reliability. Two versions are performance-optimized to replace fully insulated packages (FullPAKs) and standard and high-performance isolation foils. The package targets applications like power factor correction (PFC) for air conditioners, uninterruptible power supply (UPS), and power converters for drives.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych
Zmień widok kategorii
Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Infineon Technologies IGBTs HOME APPLIANCES
Karta charakterystyki
650Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies Small Signal Switching Diodes HOME APPLIANCES
Karta charakterystyki
230Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs HOME APPLIANCES
Karta charakterystyki
1Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs HOME APPLIANCES
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Karta charakterystyki
97Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 240
Wielokr.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 240
Wielokr.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 240
Wielokr.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 240
Wielokr.: 240

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3