Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

2SD1223(TE16L1,NQ)

Name: Toshiba 2SD1223(TE16L1,NQ)
Brand: Toshiba
SKU: 757-2SD1223TE16L1NQ
Price: 5.29 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

757-2SD1223TE16L1NQ

Nr prod.:

2SD1223(TE16L1,NQ)

Produc.:

Toshiba

Opis:

Bipolar Transistors - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min

Karta charakterystyki:

2SD1223(TE16L1,NQ) Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Toshiba 2SD1223(TE16L1,NQ)

Dostępność

Stany magazynowe:: 0

Nadal możesz kupić ten produkt i dodać do zaległego zamówienia.

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 21 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5,29 zł	5,29 zł
	3,34 zł	33,40 zł
	2,22 zł	222,00 zł
	1,74 zł	870,00 zł
	1,58 zł	1 580,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	1,41 zł	2 820,00 zł
	1,31 zł	5 240,00 zł
	1,27 zł	12 700,00 zł

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Toshiba
Kategoria produktów:	Tranzystory bipolarne - BJT
RoHS:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	TO-252-3
Polaryzacja tranzystora:	NPN
Konfiguracja:	Single
Maksymalny prąd DC kolektora:	4 A
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO:	80 V
Napięcie kolektor-baza VCBO:	100 V
Napięcie emiter–baza VEBO:	5 V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter :	1.5 V
Pd – strata mocy:	1 W
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Seria:	2SD1223
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Marka:	Toshiba
Ciągły prąd kolektora:	4 A
Wzmocnienie kolektora/bazy DC hfe min.:	2000
Rodzaj produktu:	BJTs - Bipolar Transistors
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Jednostka masy:	360 mg

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

2SD1223(TE16L1,NQ) Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Models

PCN

Changes in Packing Material and Packing Method (PDF)

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

Rozwiązania dla motoryzacji

Rozwiązania dla motoryzacji firmy Toshiba obejmują różne samochodowe urządzenia półprzewodnikowe zaprojektowane w celu poprawy bezpieczeństwa jazdy. Są to między innymi zaawansowane systemy wspomagania kierowcy (ADAS) wykorzystujące procesor rozpoznawania obrazu. Firma Toshiba oferuje najnowocześniejsze i gotowe na przyszłe wyzwania technologie półprzewodnikowe, aby dostarczać kompleksowe rozwiązania wspomagania kierowcy. Rozwiązania te obejmują systemy samodzielnego prowadzenia pojazdu, które naśladują pracę ludzkich oczu i innych złożonych ludzkich zmysłów.