Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 11

Zastosowane filtry:

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Nr części

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 118,68 zł
1 054Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R008M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 054Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

118,68 zł

101,22 zł

88,54 zł

Opakowanie zbiorcze

88,54 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 82,47 zł
1 189Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R012M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 189Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

82,47 zł

67,51 zł

59,60 zł

Opakowanie zbiorcze

59,60 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 63,04 zł
3 648Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R017M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

3 648Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

63,04 zł

50,48 zł

43,65 zł

Opakowanie zbiorcze

43,65 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

470 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 55,00 zł
433Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R022M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R022M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

433Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

55,00 zł

41,07 zł

35,52 zł

33,63 zł

Opakowanie zbiorcze

28,55 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 45,45 zł
1 900Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R026M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R026M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 900Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

45,45 zł

36,98 zł

30,79 zł

27,48 zł

Opakowanie zbiorcze

23,35 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 35,26 zł
475Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R040M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R040M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

475Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

35,26 zł

26,70 zł

22,27 zł

19,82 zł

Opakowanie zbiorcze

17,67 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 26,10 zł
1 651Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R078M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

1 651Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

26,10 zł

19,09 zł

15,44 zł

13,72 zł

Opakowanie zbiorcze

11,74 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 22,45 zł
752Na stanie magazynowym

Produc. Nr części
IMBG120R116M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

752Na stanie magazynowym

Odcinek taśmy

22,45 zł

15,70 zł

12,69 zł

11,22 zł

Opakowanie zbiorcze

9,63 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

14.4 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 18,96 zł
256Na stanie magazynowym
1 000Oczekiwane: 05.03.2026

Produc. Nr części
IMBG120R181M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

256Na stanie magazynowym

1 000Oczekiwane: 05.03.2026

Odcinek taśmy

18,96 zł

12,60 zł

9,59 zł

8,77 zł

Opakowanie zbiorcze

7,35 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 17,33 zł
259Na stanie magazynowym
5 000Dostępna ilość z otwartych zamówień

Produc. Nr części
IMBG120R234M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

259Na stanie magazynowym

5 000Dostępna ilość z otwartych zamówień

Odcinek taśmy

17,33 zł

11,48 zł

8,60 zł

7,78 zł

Opakowanie zbiorcze

6,62 zł

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 30,79 zł
9Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 11.06.2026

Produc. Nr części
IMBG120R053M2HXTMA1

Nr części Mouser
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Dowiedz się więcej

Karta charakterystyki

9Na stanie magazynowym

2 000Oczekiwane: 11.06.2026

Odcinek taśmy

30,79 zł

21,54 zł

17,46 zł

16,34 zł

Opakowanie zbiorcze

14,19 zł

Dostępność opcji MouseReel

Min.: 1
Wielokr.: 1

Szpula: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie