EVLSTDRIVEG212

STMicroelectronics
511-EVLSTDRIVEG212
EVLSTDRIVEG212

Produc.:

Opis:
Power Management IC Development Tools Evaluation board for STDRIVEG212 220 V high-speed half-bridge gate driver with 2.2 mOhms, 100 V e-mode GaN HEMT

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.

Na stanie magazynowym: 16

Stany magazynowe:
16 Wysylamy natychmiast
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 5
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
221,84 zł 221,84 zł

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
STMicroelectronics
Kategoria produktów: Narzędzia rozwojowe do układów scalonych zarządzania zasilaniem
Evaluation Boards
Gate Driver
12 V
STDRIVEG212
Marka: STMicroelectronics
Wymiary: 56 mm x 79 mm
Opakowanie: Bulk
Rodzaj produktu: Power Management IC Development Tools
Wielkość opakowania producenta: 1
Podkategoria: Development Tools
Jednostka masy: 100 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

TARIC:
8473302000
USHTS:
8473301180

EVLSTDRIVEG212 Evaluation Board

STMicroelectronics EVLSTDRIVEG212 Evaluation Board is easy to use, as well as quick and suitable for evaluating the characteristics of the STDRIVEG212 driving two 2.2mΩ (typical), 100V emode GaN switches in a half-bridge configuration. The STDRIVEG212 is a 220V high-speed half-bridge gate driver optimized for 5V driving enhanced-mode GaN HEMTs. It features separated high-current sink/source gate driving pins, integrated LDOs, undervoltage, bootstrap diode, high-side fast startup, overtemperature, fault/shutdown pins, and standby to fully support hard-switching topologies in a 4mm x 5mm QFN package. The EVLSTDRIVEG212 board is also suitable for evaluating the STDRIVEG612 features.