Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

IPB048N15N5LFATMA1

Name: Infineon IPB048N15N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB048N15N5LF
Price: 30.41 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

726-IPB048N15N5LF

Nr prod.:

IPB048N15N5LFATMA1

Produc.:

Infineon Technologies

Opis:

MOSFETs IFX FET >100-150V

Karta charakterystyki:

IPB048N15N5LFATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o Infineon Technologies IPB048N15N5LFATMA1

Na stanie magazynowym: 7 479

Stany magazynowe:: 7 479 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 8 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Opakowanie:

Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)

Odcinek taśmy

Opcja MouseReel™ (+27,00 zł)

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	30,41 zł	30,41 zł
	20,50 zł	205,00 zł
	15,71 zł	1 571,00 zł
	13,69 zł	6 845,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
	12,73 zł	12 730,00 zł

† 27,00 zł - opłata za opcje MouseReel™ zostanie dołączona do koszyka i tam doliczona. Wszystkie zamówienia z opcją MouseReel™ nie podlegają zwrotom i nie są odwoływalne. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	Infineon
Kategoria produktów:	Układy MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologia:	Si
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	120 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	3.9 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 20 V, 20 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	3.3 V
Qg – ładunek bramki:	84 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd – strata mocy:	313 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	OptiMOS
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Opakowanie:	MouseReel
Marka:	Infineon Technologies
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	10 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	17 S
Rodzaj produktu:	MOSFETs
Czas narastania:	48 ns
Seria:	OptiMOS 5
Wielkość opakowania producenta:	1000
Podkategoria:	Transistors
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	42 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	8 ns
Nazwy umowne nr części:	IPB048N15N5LF SP001503860
Jednostka masy:	4 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

IPB048N15N5LFATMA1 Karta charakterystyki (PDF)

Application Notes

Other

Market News OptiMOS Linear FET (PDF)

Product Catalogs

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Austria
Kraj montażu:: Malezja
Kraj wytworzenia:: Niemcy

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Residential Energy Storage Systems (ESS)

Infineon Residential Storage Solutions (ESS) offers various products to create and manage resilient energy infrastructures. Infineon's distinctive expertise in energy generation, power conversion, transmission, and battery management makes it an ideal natural partner to advance Energy Storage Solutions, especially in terms of efficiency, innovation, performance, and optimal cost.

Solutions for Light Electric Vehicles (LEV)

Infineon Technologies Solutions for Light Electric Vehicles (LEV) have world-changing potential utilizing the emission-free solution for rising megacities. LEVs apply new technology enabling greater power efficiency, smaller size, lighter weight, and lower cost solutions. LEVs cost less when compared to gasoline or battery powered EVs, making them affordable and hence attractive to emerging markets, where a transition to electrified mobility is in progress.

OptiMOS™ Linear FETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Linear FET is a solution to avoid the trade-off between on-state resistance R_DS(on) and linear mode capability operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. The devices feature the state-of-the-art R_DS(on) of a trench MOSFET and a classic planar MOSFET's wide, safe operating area. The OptiMOS Linear FET prevents damage at the load by limiting high in-rush currents.